技術(shù)編號(hào)：6895455
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在絕緣性基板上具有硅薄膜的SOI基板的制造方法。背景技術(shù)作為在絕緣性基板上具有硅薄膜的SOI(silicon on insulator)基板的制造 方法，以往，已知有SmartCut法和SiGen法等；SmartCut法，是將在其貼合 面?zhèn)纫炎⑷霘潆x子的硅基板和支持基板貼合后，施行大約50(TC以上的熱處 理，而從注入氫離子濃度最高的區(qū)域，將硅薄膜熱剝離的方法(例如專利文獻(xiàn) 1、或非專利文獻(xiàn)2); SiGen法，是在貼合其貼合面?zhèn)纫炎⑷霘潆x子...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。