技術(shù)編號：6895420
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種SOI (絕緣體栽硅)襯底的制造方法，該SOI襯底具有由硅等半導(dǎo)體材料構(gòu)成的半導(dǎo)體層。在本說明書中，半導(dǎo)體裝置指的是能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工 作的所有裝置，因此電光裝置、半導(dǎo)體電路及電子設(shè)備都是半導(dǎo)體裝背景技術(shù)對于利用SOI襯底而代替大塊狀硅片的集成電路的開發(fā)正在進(jìn) 行。在該SOI襯底中，在絕緣層上形成有薄單晶硅層。通過有效地利用薄單晶硅層的特長，可以將集成電路中的晶體管形成為彼此完全電 分離，并且使晶體管成為完全耗盡型。因此，可以實(shí)現(xiàn)高集...
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