技術編號:6895168
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及渦輪分子泵、基板處理裝置以及渦輪分子泵的堆積物 附著抑制方法,特別涉及排出堆積物附著要因氣體的渦輪分子泵。背景技術通常,對半導體設備用的晶片實施等離子體處理的基板處理裝置 具有收容晶片并實施規(guī)定處理的處理室(以下稱為"腔室")。在該基板 處理裝置中,當?shù)入x子體處理為蝕刻處理時,向腔室內導入作為處理氣體的例如CF類氣體,基于該CF類氣體產生的等離子體應用于蝕刻 處理。在進行該蝕刻處理時,雖然等離子體與晶片的被蝕刻膜反應, 但是依然存在一部分未反應的...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。