技術(shù)編號(hào)：6894452
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路組件以及其制造過程的領(lǐng)域。本發(fā)明尤其涉及在硅晶圓基板上的高品質(zhì)的多重厚度氧化物層的形成。背景技術(shù) 非揮發(fā)性內(nèi)存組件目前已廣泛應(yīng)用于當(dāng)電力終止時(shí)必須保留信息的電子組件。非揮發(fā)性內(nèi)存組件包含只讀存儲(chǔ)器(ROM)、可程序化只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可抹除可程序化只讀存儲(chǔ)器(EPROM)、以及電子可抹除可程序化只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)組件。EEPROM與其它非揮發(fā)性內(nèi)存組件的不同是在于其可作電子程序化以及抹除。快閃EEPROM組件與EEPROM組...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。