技術(shù)編號(hào)：6894352
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和方法，更具體地，涉及^f吏用具有體區(qū)和SOI器件區(qū)的混合襯底構(gòu)造的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件電路的抗閉鎖半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)以及這樣的抗閉鎖半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS )電路包括n溝道場效應(yīng)晶體管(nFET )， 其中電子載流子負(fù)責(zé)溝道中的傳導(dǎo)，和p溝道場效應(yīng)晶體管(pFET)，其中 空穴載流子負(fù)責(zé)溝道中的傳導(dǎo)。CMOS電路常規(guī)上在具有單晶取向的硅晶片 上制造，普通是(100)晶向。與(110)晶向的硅相比，電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。