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薄膜晶體管的制備方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6894058

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本發(fā)明涉及一種,尤其涉及一種基于碳納米管的 。背景技術(shù)薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT )是現(xiàn)代孩i電子技術(shù)中的一種關(guān) 鍵性電子元件,目前已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于平板顯示器等領(lǐng)域。薄膜晶體管主 要包括柵極、絕緣層、半導(dǎo)體層、源極和漏極。其中,源才及和漏極間隔設(shè)置 并與半導(dǎo)體層電連接,柵極通過(guò)絕緣層與半導(dǎo)體層及源極和漏極間隔絕緣設(shè)置。所述半導(dǎo)體層位于所述源極和漏極之間的區(qū)域形成一溝道區(qū)域。薄膜晶 體管中的柵極、源極、漏極均由導(dǎo)電材料構(gòu)...
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