技術(shù)編號(hào)：6893723
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及射頻功率器件領(lǐng)域，尤其涉及一種具有緊密接觸的射 頻SOI LDMOS器件。背景技術(shù)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體工藝技術(shù)(LDMOS, Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)初期主要面向移動(dòng)電話基站的RF功率放 大器，由于其具有高靈敏度、高效率、高增益、低失真、低噪聲、低 熱阻、頻率穩(wěn)定、互調(diào)失真性能低以及自動(dòng)增益控制能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)， LDMOS器件廣泛應(yīng)用于CDMA、 W-CDMA、 TETRA、數(shù)字...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。