技術(shù)編號：6893075
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種多晶硅薄膜及柵極 的形成方法。背景技術(shù)多晶硅薄膜在集成電路領(lǐng)域中具有多種重要的應(yīng)用價(jià)值，其可以用于制作金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(MOS, Metal Oxide Semiconductor Transistor)的柵極，二極管的射極，也可以用于制作動態(tài)隨機(jī)存取存儲 器(DRAM, Dynamic Random Access Memory)中電容的上、下才及板， 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM， Static Random Ac...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。