技術(shù)編號：6892862
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及到一種納米線P-N結(jié)陣列加工方法，尤其是大面積制備硅納米 線P-N結(jié)陣列的方法，屬于納米制造和納電子器件領(lǐng)域。 背景技術(shù)一維半導(dǎo)體納米線陣列具有特異的光學(xué)性質(zhì)和電學(xué)性質(zhì)，在光學(xué)、電子學(xué) 和醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景，為器件的微型化、納米化提供了材料基礎(chǔ)， 已經(jīng)成為當(dāng)今納電子領(lǐng)域研究的熱點。由于Si是傳統(tǒng)微電子領(lǐng)域的重要材料， 因此對Si納米線的研究極為關(guān)注。目前對Si納米線陣列的制備方法如模板法、 催化劑的定性生長、通過掩模后再刻蝕Si等。而且...
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