技術(shù)編號(hào):6892856
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片金屬連線(xiàn)的制作領(lǐng)域,尤其涉及具有中間阻擋層的 硅基底的過(guò)孔和金屬溝槽的制作方法。背景技術(shù)傳統(tǒng)金屬溝槽的制作均是在制作好過(guò)孔的基底上進(jìn)一步制作金屬溝槽。請(qǐng)參閱附圖說(shuō)明圖1。在如圖1所示的硅基底1上已制作好過(guò)孔7。硅基底1具有中間阻擋 層21和底部阻擋層22。硅基底1上非制作過(guò)孔7的表面覆蓋有過(guò)孔光阻41, 通過(guò)過(guò)孔光阻41蝕刻預(yù)制作過(guò)孔7的介質(zhì)過(guò)孔硬掩模層部分,過(guò)孔中間阻擋 層以上硅基底部分、過(guò)孔中間阻擋層及過(guò)孔中間阻擋層以下硅基底。在制...
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