技術(shù)編號(hào)：6892667
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及器件隔離區(qū)域和柵極電極的形成，特別是涉及適合于存儲(chǔ)單元的。圖31示出了現(xiàn)有的SRAM存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)例子。在這里，僅僅示出了器件隔離區(qū)域64a，器件區(qū)域64b、柵極電極66a、局部互連70a。以下，對(duì)單位存儲(chǔ)單元部分59的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖32所示，在半導(dǎo)體襯底60上形成絕緣膜61，在該絕緣膜61上形成在填埋劑的研磨時(shí)成為阻擋層的例如氮化膜62。其次，如圖33所示，在氮化膜62上形成圖形化的光刻膠63。以該光刻膠63為掩模。借助于各向...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。