技術(shù)編號：6892040
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池的生產(chǎn)方法，特別是一種晶體硅太陽能電池 的選擇性一次擴散方法。背景技術(shù)晶體硅太陽能電池占據(jù)了光伏市場的卯％以上的份額，如何進一步提高效 率，降低成本是國內(nèi)外晶體硅太陽能電池研究領(lǐng)域的基本目標(biāo)。在硅片上實現(xiàn)選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)是p-n結(jié)晶體硅太陽能電池實現(xiàn)高效的方 法之一。所謂選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)有兩個特征1)在電極柵線下及其附近形成高 摻雜深擴散區(qū)；2)在其他區(qū)域形成低摻雜淺擴散區(qū)。實現(xiàn)選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)的 關(guān)鍵便是如何形成上面所說的兩個區(qū)...
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