技術(shù)編號：6891664
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明申請是申請?zhí)枮镃N01810897.0，申請日為2001年6月8日， 發(fā)明名稱為""的PCT申請進入中國國家階段申 請的分案申請。本發(fā)明涉及層，具體地涉及氮化鎵或鎵和其他金屬混合氮化物單晶 厚層，以及它們的制備方法。本發(fā)明還涉及包括這樣一些層的電子或光電子設(shè)備。本發(fā)明的一般可確定為在基體上制備基于氮化物的半導(dǎo) 體材料層的。以元素周期表第III至V族元素氮化物為主要成分的半導(dǎo)體材料， 在電子和光電子領(lǐng)域中占有和將占有越來越重要的地位。這些以氮化 物為基...
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