技術(shù)編號：6891642
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種。更具體地說，本發(fā)明涉 及一種用于刻蝕硅襯底或在硅襯底頂上層疊的層的技術(shù)。背景技術(shù)LSI中使用的元件隔離膜通過在硅襯底中形成的元件隔離溝槽中 掩埋絕緣膜而形成。為了在硅襯底中形成元件-隔離溝槽，通常采用以 下方法。首先，在硅襯底的頂上層疊二氧化硅膜(Si02膜)和氮化硅膜 (SiN膜)，在某些情況下，在氮化硅膜上形成其他的膜，以便用作刻 蝕的硬掩模。接著，在該硬掩模膜上形成具有預定圖形的抗蝕劑膜。 在此之后，硬掩模、氮化硅膜、二氧化硅膜以及硅...
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