技術(shù)編號(hào):6891402
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造m-v族化合物半導(dǎo)體襯底的方法。 相關(guān)技術(shù)描述in-v族化合物半導(dǎo)體襯底是通過(guò)由晶錠切割下襯底,并拋光和接 著清洗襯底表面而制造的。(參考文獻(xiàn)日本未審專(zhuān)利申請(qǐng)公布No.H05-291231。)然而,拋光m-v族化合物半導(dǎo)體襯底的表面會(huì)使該表面受到損傷。因而,降低了該襯底的光致發(fā)光強(qiáng)度(PL強(qiáng)度)。如果追求杰出的器件特性,那么在帶有損傷的ni-v族化合物襯底的表面上形成半導(dǎo) 體器件是徒勞無(wú)用的。假設(shè)拋光在m-v族化合物襯底上造成了表面損傷,...
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