技術(shù)編號(hào)：6891318
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體晶片的無電鍍裝置及其方法，且特別是有關(guān)于一 種用于半導(dǎo)體晶片在無電鍍時(shí)，控制加熱方式以改善其晶片鍍層均勻性的方 法。背景技術(shù)圖案化金屬層以及連續(xù)金屬層可利用電鍍(electroplating)和無電鍍 (electroless plating)來進(jìn)行沉積。電鍍之前的預(yù)先步驟，通常是利用無電鍍 預(yù)鍍一種籽層(seed layer)。鑲嵌(damascene)工藝是微電子制造工業(yè)技術(shù) 的工藝程序中，其中一道將金屬沉積到半導(dǎo)體晶片上的步驟。在...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。