技術編號：6891004
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，尤其涉及一 種在基板表面形成不少見則的凹凸結構的方法。背景技術為了實現(xiàn)固態(tài)照明，開發(fā)以及改善發(fā)光二才及管的發(fā)光效率4更成為當務之急。改善發(fā)光二4及管的發(fā)光效率的方式可分成兩部分其 一為提高發(fā)光二極管的內部量子效率；其二為增加發(fā)光二極管的光萃取效率(光取出率)。在內部量子歲文率方面，改善蟲晶材泮牛品質對于內部量子效率有最直4妄且明顯的提升，其中一種側向生長4支術(Epitaxial Lateral Overgrowth; ELOG)可改善蟲晶...
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