技術(shù)編號：6890840
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。 相關(guān)申請的交叉引用本發(fā)明要求2007年3月27日提交的韓國專利申請10-2007-29626 的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用并入本文。發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及，更具體地涉及形 成可以降低快閃存儲器件的字線電阻的快閃存儲器件的柵極圖案的方 法。背景技術(shù)通常，快閃存儲單元包括柵極，其中在半導(dǎo)體襯底上層疊隧道介電 層、浮置柵極、介電層和控制柵極，和在柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成 結(jié)區(qū)。隨著熱電子注入到浮置柵極，數(shù)據(jù)編程到快閃存儲單元中，并且 隨著通過F-N隧穿釋放注入的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。