技術(shù)編號(hào)：6889818
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及很適合地用于發(fā)光二極管(led)等發(fā)光元件的m族氮化 物半導(dǎo)體層的制造方法以及m族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件和燈。本申請(qǐng)基于在2006年12月22日在日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2006-346000 號(hào)、在2007年8月30日在日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2007-224496號(hào)、在2007 年10月22日在日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2007-274376號(hào)和在2007年11月2 曰在日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2007-2866卯號(hào)要求優(yōu)先僅，在此援引其內(nèi)容。背景技術(shù)近年，作為發(fā)出短波...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。