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減小半導(dǎo)體裝置的臨界尺寸的方法和具有減小的臨界尺寸的部分制造的半導(dǎo)體裝置的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6889676

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本發(fā)明的實(shí)施例大體上涉及半導(dǎo)體裝置制造,且更具體來(lái)說(shuō)涉及減小半導(dǎo)體裝置的 臨界尺寸(CD)的方法及具有減小的臨界尺寸的部分制造的半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)集成電路(IC)設(shè)計(jì)人員想要通過(guò)減小個(gè)別特征的大小且減小半導(dǎo)體襯底上的相鄰 特征之間的間隔距離來(lái)提高ic內(nèi)的特征的集成度或密度。特征大小的不斷減小對(duì)形成所述特征所用的技術(shù)(例如光刻)提出了更高要求。這些特征通常是通過(guò)材料(例如絕 緣體或?qū)w)中的開口來(lái)界定的且通過(guò)所述材料彼此隔開。相鄰特征中的相同點(diǎn)之間的 距離...
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