技術(shù)編號：6889580
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體器件的制造。背景技術(shù)等離子刻蝕工藝在半導體制造過程中被廣泛使用。 一般 來說，光阻材料在要刻蝕的晶片表面上形成特征圖案，然后通過將 該晶片暴露于特定類型的刻蝕氣體中將特征刻入該晶片。等離子體 刻蝕中面臨的一個^兆戰(zhàn)是滿足設計要求所需要的不斷增大的縱橫 比，尤其是對于超高密度的結(jié)構(gòu)來說。當在半導體晶片上刻蝕特征 時，刻蝕的特征被定義為該特征的深度(d)和該特征的寬度(w) 或直徑之間的比例。隨著越來越多的特征#1封裝在單片晶片上，以 創(chuàng)建更高...
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