技術(shù)編號(hào)：6889576
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及制造使用氧化物半導(dǎo)體的場效應(yīng)薄膜晶體管的方法。 背景技術(shù)近年來，使用金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜的半導(dǎo)體器件受到關(guān)注。該 薄膜可在低溫下被淀積，并具有諸如光帶隙大和對(duì)可見光光學(xué)透明的 特性。這種薄膜也可在塑料襯底或膜或類似的襯底上形成柔性透明的薄膜晶體管(TFT)。例如，在Nature, Vol. 432， 25 November 2004 ( 488-492 )中公開了涉及對(duì)于溝道層(活性層)使用包含銦、鋅和鎵的非晶氧化物膜的 TFT的技術(shù)。jt匕夕卜...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。