技術(shù)編號：6889405
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于SiC(碳化硅)半導(dǎo)體的歐姆電極、用于SiC半導(dǎo)體的歐姆電極的制造方法、半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。技術(shù)背景SiC半導(dǎo)體具有Si(硅)半導(dǎo)體所不具有的這樣的特性，如SiC半導(dǎo) 體的帶隙為Si半導(dǎo)體的約三倍大，擊穿電壓為Si半導(dǎo)體的約十倍大， 電子飽和速度為Si半導(dǎo)體的約兩倍大，以及熱導(dǎo)率為Si半導(dǎo)體的約三 倍大。因此，近年來已經(jīng)開發(fā)了諸如包含SiC半導(dǎo)體的電子裝置的半導(dǎo)體裝置。在包含SiC半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置中，為了使電流在半導(dǎo)體裝置中...
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