技術(shù)編號(hào)：6889401
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明大體上涉及集成電路(ic)的制造方法。更特定來說，本發(fā)明為在絕緣體上 半導(dǎo)體襯底上制造高電子遷移率晶體管的方法。背景技術(shù)已出現(xiàn)若干種材料系統(tǒng)作為將摩爾定律(Moore's law)廣泛推進(jìn)未來十年的關(guān)鍵推 動(dòng)因素。所述關(guān)鍵推動(dòng)因素包括(1)絕緣體上硅(SOI); (2)硅-鍺(SiGe);以及(3) 應(yīng)變的硅。就SOI和相關(guān)技術(shù)來說，存在很多與絕緣襯底相關(guān)聯(lián)的優(yōu)點(diǎn)。這些優(yōu)點(diǎn)包括 寄生電容減少、電隔離改進(jìn)和短溝道效應(yīng)減少?？蓪OI的優(yōu)點(diǎn)與由Sh.xG...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。