技術(shù)編號：6889147
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種場效應(yīng)晶體管。更具體地，本發(fā)明涉及一種使用 特定有機雜環(huán)化合物作為半導(dǎo)體材料的場效應(yīng)晶體管，以及制造該場 效應(yīng)晶體管的方法。背景技術(shù)場效應(yīng)晶體管通常具有這樣的結(jié)構(gòu)其中源電極和漏電極形成在 襯底上的半導(dǎo)體材料上，并且柵電極等以絕緣層為媒介形成在這些電 極上，并且不僅廣泛地在集成電路中用作邏輯元件而且還用于開關(guān)元 件等。目前，在場效應(yīng)晶體管中使用主要由硅形成的無機半導(dǎo)體材料。 特別地，利用3 N晶硅并形成在襯底如玻璃上的薄膜晶體管被應(yīng)用于顯 示器...
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