技術(shù)編號(hào):6889140
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包括通過(guò)掩模薄膜的開(kāi)口部在被處理基體上有選擇地 實(shí)施處理的工序的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及由該制造方法制造的半 導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)圖5表示現(xiàn)有的典型的MOS型晶體管的截面。在柵極電極104的 側(cè)壁上形成有被稱(chēng)作所謂側(cè)壁隔離膜105的膜,近年來(lái),要求能夠容 易地除去該膜的技術(shù)。以下,說(shuō)明其技術(shù)背景。在MOS晶體管的源極101與漏極102之間,為了抑制短溝道效應(yīng), 形成有比源極101和漏極102淺而且摻雜劑濃度低的被稱(chēng)為外延103 的區(qū)域。源極101和...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。