技術編號：6888886
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及使用薄電介質膜形成貫穿晶片電學互連及其它結構的技術。背景技術轉讓給本申請的受讓人的美國專利No.6,818464披露了 一種用于提供具有一個或更多個通孔的半導體結構的雙面蝕刻技術，這些通孔通過饋通(feed-through )金屬化工藝來氣密密封。饋通金屬化工藝可包括使用電鍍技術。該半導體結構例如可以用作封裝光電子或其它裝置或者集成電路的封裝的蓋。貫穿晶片電學互連可以提供例如從封裝的外部到封裝在該封裝內的裝置或電路的電學接觸。根據(jù)前述專利中披露的...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。