技術(shù)編號：6888878
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及適合用于發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、電子 器件等的III族氮化物化合物半導體發(fā)光元件的制造方法以及III族氮化物化 合物半導體發(fā)光元件和燈。本申請基于在2006年9月26日在日本申請的專利申請2006-260878 和在2007年7月30日在日本申請的專利申請2007-197473號要求優(yōu)先權(quán)， 在此援引其內(nèi)容。背景技術(shù)范圍的能量直接遷移型的帶隙，發(fā)光效率優(yōu)異，因此作為LED和LD等發(fā) 光元件使用。另外，即使是用于電子器件的場合，I...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。