技術(shù)編號：6888865
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及太陽能電池的制造方法。特別是涉及一種制造包括氧化硅 鈍化層和介電涂層的晶體硅太陽電池的方法。背景技術(shù)由單晶硅或多晶硅制成的太陽能電池的正面通常具有介電涂層(例如， 光入射側(cè))，以有效地引導(dǎo)入射光進入半導(dǎo)體層。這種介電涂層通常稱為防反射涂層(ARC)膜。太陽能電池的性能主要由半導(dǎo)體層與ARC膜之間的界面處光生載流子 復(fù)合受抑制程度的影響。光生載流子復(fù)合的抑制通常利用所謂表面鈍化實 現(xiàn)。作為用于多晶硅太陽能電池的ARC膜，氮化硅膜由于具有良好的防反 ...
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