技術(shù)編號(hào)：6888412
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及具有半導(dǎo)體元件部的，該半導(dǎo)體元件部在主面的面內(nèi)方向中包括具有不同的熱膨脹系數(shù)的多個(gè)方向。背景技術(shù)現(xiàn)有技術(shù)中，具有GaN類半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)(半導(dǎo)體元件部)的半導(dǎo)體發(fā)光元件(半導(dǎo)體元件)被公開在日本特開2001 — 7394號(hào)公報(bào)中，該GaN類半導(dǎo)體疊層結(jié)構(gòu)(半導(dǎo)體元件部)在主面的面內(nèi)方向中包括具有不同的熱膨脹系數(shù)的多個(gè)方向。在日本特開2001—7394號(hào)公報(bào)中公開的現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光元件，通過在以(I一IOO)面為主面的單晶基板上疊層GaN類...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。