技術(shù)編號(hào)：6888234
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁性材料的領(lǐng)域，更具體地說，涉及用于一方面用于允許 將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在電子系統(tǒng)中并且讀取電子系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)的非易失性隨機(jī)存 M性存儲(chǔ)器中、另 一方面用于使用磁性薄層系統(tǒng)技術(shù)的射頻振蕩器的領(lǐng) 域中的磁性材料。背景技術(shù)在磁性存儲(chǔ)器領(lǐng)域中，自從開發(fā)了在環(huán)境溫度下具有高磁阻的隧道結(jié)，包括這種磁性隧道結(jié)的稱作M-RAM (磁性隨M取存儲(chǔ)器)的磁性 存儲(chǔ)器巳經(jīng)引起了極大的關(guān)注。這些隨*1##^性存儲(chǔ)器具有很多顯著的 優(yōu)點(diǎn)-速度快(讀寫時(shí)間僅幾個(gè)納秒)；-非易失性；-...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。