技術(shù)編號：6887485
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地，涉及在導(dǎo)電材料和 介質(zhì)材料之間具有中間層的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)在硅CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)制造領(lǐng)域中，正在考慮使用金 屬柵。優(yōu)選的是對PMOS和NMOS器件使用不同的金屬，使得可以對 每種類型器件的功函數(shù)進行優(yōu)化。功函數(shù)的改變將影響閾值電壓(VT)。 對于PMOS器件，期望功函數(shù)接近5.2eV的硅價帶邊緣，然而對于 NMOS器件，則期望功函數(shù)接近4.1eV的硅導(dǎo)帶邊緣。此外，材料在 用于激活隨后形成的源區(qū)和漏...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。