技術(shù)編號：6887377
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及形成一種用于半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的圖案。 背景技術(shù)FinFET (例如MIGFet、 ITFet、多鰭片F(xiàn)inFET)包括設(shè)置 在半導(dǎo)體鰭片結(jié)構(gòu)中的垂直溝道區(qū)域。 一些類型的鰭片場效應(yīng)晶體管 (finFET)的優(yōu)點是FinFET的溝道寬度尺寸沿著該鰭片的垂直高度設(shè) 置，由此允許每個管芯區(qū)域上有更多的晶體管驅(qū)動電流。其對于其他 類型的具有垂直溝道結(jié)構(gòu)和基本水平的載流子傳輸也是成立的。對于一些FinFET，鰭片結(jié)構(gòu)的寬度通...
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