技術編號：6886892
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及，所述基于GaN 的半導體發(fā)光器件具有由基于GaN的半導體形成的部件層。背景技術在近幾年，作為用于短波長發(fā)光器件的半導體材料，基于GaN的化合 物半導體材料已經引起注意。通過金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD) 方法、分子束外延(MBE)方法等可以將基于GaN的化合物半導體形成 在藍寶石單晶、各種其它氧化物或III-V族化合物的襯底上。盡管與GaN超過10。/。的晶格常數(shù)差異，但藍寶石單晶襯底是發(fā)現(xiàn)的 普遍接受的襯底，因為歸因于形成A1N或AlG...
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