技術(shù)編號：6886668
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，更具體而言，涉及這樣的雙極晶體管，在其中顯著降低了基極到集電極電容(Ccb)的寄生成分和基極電阻(Rb) 以提高晶體管性能。根據(jù)本發(fā)明，使用雙溝槽隔離方案來降低Ccb的寄生 成分和Rb。在本發(fā)明的一些實施例中，雙溝槽隔離方案還允許突出的外 部基極完全為單晶的。背景技術(shù)雙極晶體管是具有兩個彼此緊鄰的p-n結(jié)的器件。典型的雙極晶體管 具有三個器件區(qū)域發(fā)射極、集電極、和置于發(fā)射極與集電極之間的基極。 理想狀況下，兩個p-n結(jié)，即，發(fā)射極...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。