技術編號：6886657
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及形成電容器的溝槽，更具體地涉及溝槽加寬技術。 背景技術在現(xiàn)有技術中，可以通過首先在半導體基板中形成溝槽來形成電 容器。為了增加電容器的電容，可以加寬溝槽。然而，風險在于在加 寬工藝過程中會合并相鄰溝槽。因此，需要如下一種溝槽結構(以及 形成該溝槽結構的方法)，其中溝槽加寬不會導致溝槽合并。發(fā)明內容本發(fā)明提供了一種半導體結構，該半導體結構包括(a)半導體 基板；(b)所述半導體基板上的溝槽，其中，該溝槽包括側壁，并 且其中該側壁包括{100}側壁面...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。