技術(shù)編號：6886574
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種具有通過使用非晶氧化物膜而形成的柵絕緣層 的場效應(yīng)晶體管，并且還涉及一種顯示裝置。背景技術(shù)場效應(yīng)晶體管(FET)是一種具有柵電極、源電極和漏電極的三 端子器件。FET還是一種電子有源器件，其具有當(dāng)向柵電極施加電壓的功能特征。具有通過使用在諸如陶瓷、玻璃和塑料的絕緣體襯底上 形成的薄膜而形成的溝道層的FET被稱為TFT (薄膜晶體管)。由于TFT是利用薄膜技術(shù)形成的，所以TFT具有其可容易地在 大面積襯底上形成的優(yōu)點。TFT由于此優(yōu)點而廣泛用作...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。