技術(shù)編號(hào):6886558
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管、半導(dǎo)體集成電路及其制造方法。技術(shù)背景半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管廣泛地用作電子元件諸如放大器或開(kāi)關(guān),并且根 據(jù)電流途徑(通道)的形式區(qū)分為數(shù)個(gè)類別。實(shí)例包括利用二維電子氣體(2DEG)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。根據(jù)在其上形成2DEG的界面的形式,將這種場(chǎng) 效應(yīng)晶體管分成兩個(gè)類型。在第一類型中,2DEG形成在氧化物膜/半導(dǎo)體 晶體的界面。在第二類型中,2DEG形成在類似的半導(dǎo)體晶體/半導(dǎo)體晶體 的界面。第一類型的代表性實(shí)例是Si-MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管...
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