技術(shù)編號(hào)：6886470
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于輻射檢測(cè)的半導(dǎo)體器件本發(fā)明涉及一種用于輻射檢測(cè)的半導(dǎo)體器件。在本領(lǐng)域中用于檢測(cè)電磁輻射的半導(dǎo)體基器件或傳感器是已知的。這些傳感器是采用IC (集成電路)技術(shù)，如M0S (金屬氧化物半導(dǎo)體)、CMOS (互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)或CCD (帶電耦合器件)技術(shù)，并利用所謂的集 電結(jié)而在襯底上實(shí)現(xiàn)的，其中所述集電結(jié)是適于收集電磁輻射在襯底中產(chǎn) 生的電荷載流子的區(qū)域，并且是pn-或np-結(jié)。用于檢測(cè)如X射線等的電離輻射的半導(dǎo)體基檢測(cè)器一般基于間接轉(zhuǎn)換 檢測(cè)器技術(shù)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。