技術編號：6885820
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及集成電路領域；更具體而言，涉及用于到集成電路的基元 的電連接的背面通孔及其制造方法。背景技術在很多集成電路應用中，希望減小電路中的信號線路的電阻和電感，其與正面布線接合襯墊連接相關。例如，由于與到NPN異質結雙極晶體 管(HBT)的發(fā)射極的布線接合襯墊連接相關的電感，即使晶體管能夠運 行在較高頻率，在布線接合封裝中使用了 NPN HBT的電路的最大實際工 作頻率仍約為3GHz。因此，需要用于將信號連接到集成電路的電路基元 的具有減小的電感和電阻的...
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