技術(shù)編號(hào)：6885805
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體而言，涉及具有模 擬或超厚布線的半導(dǎo)體器件及其使用雙鑲嵌工藝的制造方法。背景技術(shù)目前通過單鑲嵌處理制造*鑲嵌銅(Cu )布線(例如，厚度〉2nm )。 使用單鑲嵌工藝主要是因?yàn)榕c雙鑲嵌處理相關(guān)的集成問題，包括在過孔和 布線蝕刻工藝期間接觸MIM電容器和下布線層的問題。在*雙鑲嵌Cu布線工藝中，使用常規(guī)的光刻步驟來限定過孔和槽。 在這些常規(guī)工藝中，過孔的高度約5.5nm，寬度為約1.5pm。為了槽光刻 步驟，在形成...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。