技術(shù)編號：6883357
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種MISFET溝道下部的阱和柵電極電連接的。以往，為減少半導(dǎo)體裝置的電力消耗，可繼續(xù)不斷地降低電源電壓Vdd。可是，為了防止斷開電流的增加，MISFET的閾值電壓Vth就不能過分降低。因此，有晶體管驅(qū)動能力Id降低的傾向。作為打破這個問題的器件，提出了DTMISFET(動態(tài)閾值電壓金屬絕緣體半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)(Fariborz Assaderaghi，et al．“Dynamic Threshold—Voltage MOSFET(DTMOS)...
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