技術(shù)編號(hào)：6880270
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于發(fā)光元件及其制造方法，特別是一種。近年來(lái)，各種發(fā)光元件不斷地被開發(fā)，并且普遍地使用在各種顯示器上。其中，半導(dǎo)體發(fā)光二極體(Light emitting diode)由于其低耗電量以及技術(shù)成熟，已經(jīng)普遍應(yīng)用于室內(nèi)及戶外顯示。如附圖說(shuō)明圖1所示，于一般半導(dǎo)體發(fā)光二極體的基底10上堆疊有包括p-n結(jié)面活化(p-n junction active layer)層24及透光(window layer)層22、26的磊晶層20，其通常由磷化鎵(GaP)或磷化...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。