技術編號：6879935
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種功率型氮化鎵基發(fā)光二極管芯片，屬于半導體芯片結構領域。 背景技術功率型氮化鎵(GaN)基發(fā)光二極管(LED)芯片是半導體照明的基礎，由于GaN 與空氣的折射率相差較大，光在GaN--空氣界面處極易發(fā)生全內(nèi)反射，導致正面發(fā)光的 LED出光效率較低。提高GaN基發(fā)光二極管芯片出光效率的方法主要有金屬反射層， 全方向反射鏡，圖形化襯底，光子晶體，P"GaN表面絨面處理，倒裝等。發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種簡單易行的增強功率型GaN基發(fā)光二...
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