技術(shù)編號：6879296
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及將隧道結(jié)器件的隧道阻擋層透過一個覆蓋隧道阻擋層的覆層暴露于紫外光下的方法。更具體地說，本發(fā)明涉及將隧道結(jié)器件的非導(dǎo)電隧道阻擋層透過一個覆蓋隧道阻擋層的覆層暴露于紫外光以修復(fù)隧道阻擋層中的缺陷的方法。背景技術(shù) 磁隧道結(jié)(MTJ)是包含兩個鐵磁(FM)材料層的器件，兩個鐵磁材料層被一個用作隧道阻擋層的薄介電層(例如絕緣層)所隔開。隧道結(jié)器件可用于磁場探測器和硬盤驅(qū)動器的高密度薄膜讀寫頭。磁隨機存取儲存器(MRAM)是一種包含隧道結(jié)的前沿技術(shù)，它可...
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