技術(shù)編號：6876575
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，具體涉及一種通過補償硅的損耗形成具有穩(wěn)定的阻抗性能的金屬硅化物層的。背景技術(shù) 通常，隨著半導(dǎo)體器件幾何尺寸變得越來越小，柵極、源區(qū)和漏區(qū)的尺寸被減小，要求源區(qū)和漏區(qū)之間的結(jié)點更淺。但是，由于這些原因，不希望地產(chǎn)生高阻區(qū)。由此，為了減小源區(qū)和漏區(qū)以及多晶硅區(qū)之間的電阻，在那些區(qū)之間的接觸上使用高熔點金屬硅化物。在處理過程中只要在源區(qū)和漏區(qū)以及露出的硅之間發(fā)生接觸，高熔點金屬的薄膜被淀積，并被加熱形成硅化物。在該工序中，使用包括鉑、錳...
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