技術(shù)編號：6876573
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù) 到目前為止所研發(fā)的制造半導(dǎo)體裝置的方法包括在日本未審專利申請第2005-101137號(專利文獻(xiàn)1)和第H08-167629號(專利文獻(xiàn)2)中所公開的方法。根據(jù)前者，互連層形成在超薄銅箔上，該超薄銅箔配置在由支撐層和載體銅箔所構(gòu)成的支撐基片上。然后在分界面處將支撐基片從超薄銅箔上剝離，因而使得支撐基片與互連層分離，此后從互連層上除去超薄銅箔。根據(jù)后者，在轉(zhuǎn)移基片上以預(yù)定圖案形成互連，并且在其上放置了半導(dǎo)體基片的情況下，該互連被密封...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。