技術編號：6876567
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體存儲裝置，特別涉及一種適用于集成電路存儲裝置編程的、具有高電流互連結(jié)構的半導體存儲裝置及磁性隨機存取存儲器裝置。背景技術 可編程的半導體裝置，例如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、閃存、及磁性隨機存取存儲器(MRAM)，一般需要大電流脈沖以適當?shù)乇痪幊?。因而需要寬互連導線來載負大電流，以對這些存儲裝置進行編程。在過去，寬導線不會引起半導體幾何布局(semiconductor geometries)的問題。然而，今天越來越多較小的幾何布局進...
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