技術(shù)編號(hào)：6876553
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，確切地說是涉及具有由多個(gè)MOS構(gòu)成的集成電路的半導(dǎo)體器件及其制造方法。而且，本發(fā)明涉及SOI襯底，此SOI襯底的構(gòu)成方法是(a)將已經(jīng)注入了氫離子的單晶硅薄膜鍵合到襯底，以及(b)在氫離子注入部分處分割單晶硅薄膜，本發(fā)明還涉及采用SOI襯底的半導(dǎo)體器件以及SOI襯底的制造方法。此外，本發(fā)明涉及用于有源矩陣驅(qū)動(dòng)液晶顯示器件等的半導(dǎo)體器件，改善了其中集成有外圍驅(qū)動(dòng)電路、控制電路等的器件的電路性能。背景技術(shù) 按照常規(guī)，所謂有源矩...
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