技術(shù)編號：6875835
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種將MOSFET用作反熔絲的方法、相應的半導體元件和相應的集成電路。背景技術(shù) 這個類型的MOSFET的柵極電介質(zhì)在正常工作下具有高擊穿電壓。為了進一步增加該擊穿電壓，在MOSFET的兩個摻雜區(qū)之間經(jīng)常提供過渡區(qū)，其已知是分別連接到源和漏端和設(shè)置在之間的輕摻雜溝道區(qū)(所謂的LDD＝輕摻雜漏區(qū))。這樣的MOSFET也稱為LDD-MOSFET。例如，如果這樣的晶體管在半導體元件中使用，例如在FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列)中使用，其中它們么用作用于編程特...
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